{"ok":true,"entity":{"id":"gate-all-around-transistor","name":"Gate-All-Around Transistor","entityType":"concept","officialName":"Gate-All-Around（GAA）トランジスタ","canonicalName":"Gate-All-Around Transistor","displayName":"Gate-All-Around Transistor","category":"半導体デバイス構造（トランジスタ）","shortDescription":"ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタは、チャネルの全周をゲートで囲む構造のトランジスタで、ナノシート型やナノワイヤ型があります。FinFETの後継として3nm・2nm世代で採用が進み、TSMCは2025年第4四半期に初の世代のナノシートを使うN2の量産を開始したと、Intelは18AのRibbonFETでGAAを採用していると、それぞれ自社ページで説明しています（2026年10月時点）。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.imec-int.com/en/articles/entering-nanosheet-transistor-era-0","updatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z","secondaryClusters":[],"alias":["GAAFET","GAAトランジスタ","ナノシートトランジスタ","ゲートオールアラウンド"],"searchKeywords":["GAA","GAAFET","ゲートオールアラウンド","ナノシート","nanosheet","RibbonFET","FinFET後継","2nm"]},"referenceIndex":["P-01-001","P-02-001","P-04-001","P-05-001","P-06-001"]}