{"ok":true,"entity":{"id":"high-bandwidth-memory","name":"High Bandwidth Memory","entityType":"concept","officialName":"High Bandwidth Memory（HBM、広帯域メモリ）","canonicalName":"High Bandwidth Memory","displayName":"High Bandwidth Memory","category":"半導体メモリ技術（3D積層DRAM）","shortDescription":"High Bandwidth Memory（HBM）は、複数のDRAMダイを垂直に積層し、シリコン貫通ビア（TSV）で接続して超広帯域のインターフェースを実現する3D積層メモリです。JEDECは2025年4月にHBM4規格（JESD270-4）を公開し、2048ビットインターフェースで最大2TB/sの帯域を規定しています。AIアクセラレータ向けの需要が大きく、Micron、SK hynix、Samsungが主な供給元として報じられています（2026年10月時点）。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","updatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z","secondaryClusters":[],"alias":["HBM","広帯域メモリ"],"searchKeywords":["HBM","High Bandwidth Memory","広帯域メモリ","HBM3E","HBM4","3D積層DRAM","TSV","AIメモリ"]},"referenceIndex":["P-01-001","P-02-001","P-04-001","P-05-001","P-06-001"]}