{"ok":true,"entity":{"id":"silicon-carbide-power-semiconductors","name":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","entityType":"concept","officialName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","canonicalName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","displayName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","category":"ワイドバンドギャップ・パワー半導体技術","shortDescription":"SiCパワー半導体は、炭化ケイ素を材料に用いたパワーデバイス（MOSFET、ダイオードなど）の総称で、窒化ガリウム（GaN）とともにワイドバンドギャップ半導体に分類されます。米国のPowerAmerica研究所は、SiCとGaNがパワーエレクトロニクスの性能を従来のシリコン設計の限界を超えて高めると説明しています。主な用途はEV・充電、産業、再生可能エネルギー、AIデータセンターなどで、市場ではSTMicroelectronics、onsemi、Infineon、Wolfspeed、ROHMなどが主要供給元です。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.poweramericainstitute.org/","updatedAt":"2026-10-08T04:23:15.768Z","secondaryClusters":[],"alias":["SiCパワー半導体","炭化ケイ素パワー半導体","SiCパワーデバイス","シリコンカーバイドパワー半導体"],"searchKeywords":["SiC","炭化ケイ素","シリコンカーバイド","SiCパワー半導体","SiC MOSFET","ワイドバンドギャップ","パワーデバイス","EV インバーター","SiC基板","Silicon Carbide"]},"referenceIndex":["P-01-001","P-02-001","P-04-001","P-05-001","P-06-001"]}