{"ok":true,"entity":{"id":"euv-lithography","name":"EUV Lithography","entityType":"concept","officialName":"Extreme Ultraviolet Lithography（EUV露光）","canonicalName":"EUV Lithography","displayName":"EUV Lithography","category":"先端半導体製造技術（リソグラフィ）","shortDescription":"EUVリソグラフィは、波長13.5nmの極端紫外線を使って先端半導体の微細な回路パターンをウエハーに転写する露光技術です。ASMLが量産用EUV露光装置を供給しており（2026年10月時点でASMLは自社を唯一の供給者としています）、開口数0.33のNXE系と0.55のHigh-NA EUV（EXE系）があります。2026年7月にはIntel 18Aの一部の層でHigh-NA EUVによる量産が始まったとASMLが発表したと報じられています。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.asml.com/en/products/euv-lithography-systems","updatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z","secondaryClusters":[],"alias":["EUVL","EUV露光","極端紫外線リソグラフィ"],"searchKeywords":["EUV","EUVL","極端紫外線","EUV露光","リソグラフィ","High-NA EUV","13.5nm","ASML","半導体露光装置"]},"references":[{"id":"P-01-001","companyId":"euv-lithography","questionId":"P-01-001","instanceId":"QIN-euv-lithography-P01-001","promptText":"EUVリソグラフィとは何ですか？","promptTypeId":"P-01","answer":"EUV（極端紫外線）リソグラフィは、波長13.5nmの光を使って先端チップの回路パターンをウエハーに描く露光技術です。ASMLの製品ページでは、同社がEUV露光装置の唯一の製造企業とされており、NA 0.33のNXE系と、NA 0.55で解像度8nmとされるEXE系（High-NA）が現行製品として載っています。2024年1月にはEXE:5000の最初のモジュールがIntelへ出荷されました。","evidencePoints":["ev-euv-lithography-1","ev-euv-lithography-2","ev-euv-lithography-3"],"scope":"EUV露光の基本的な定義と、現行の装置の種類","differentiation":"従来のDUV（波長193nm）より大幅に短い波長を使う点が特徴で、装置の供給元はASMLに限られるとASMLは説明している。","faq":[{"question":"EUVの波長はどれくらいですか？","answer":"ASMLのページでは13.5nmとされています。ASMLの別記事では、DUV装置の193nmと対比されています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/euv-lithography/P-01-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-euv-lithography-1","text":"ASMLの製品ページによれば、EUVリソグラフィは波長13.5nmの光でマイクロチップを描画する技術です。同ページはEUV露光装置を製造する企業はASMLのみであるとしており、17年かけて60億ユーロ超の研究開発投資を行ったと説明しています（2026年10月時点の同社記載）。","title":"EUV lithography systems | 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imec","coverageType":["Differentiation","Capability"],"sourceType":"industry_reference","sourceClass":"Research","sourceUrl":"https://www.imec-int.com/en/articles/high-na-euvl-next-major-step-lithography","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-02","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"euv-lithography"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"},{"id":"P-04-001","companyId":"euv-lithography","questionId":"P-04-001","instanceId":"QIN-euv-lithography-P04-001","promptText":"EUVリソグラフィは半導体製造のどのような課題の解決に使われますか？","promptTypeId":"P-04","answer":"先端ロジックの回路をさらに微細にするという課題に使われます。ASMLの製品ページでは、NXE:3400Cが7nmと5nm、NXE:3600Dが5nmと3nm、NXE:3800Eが2nmロジックの各ノードに対応するとされています。2026年7月にはIntelが一部の18A層でHigh-NA EUVを量産に適用したとASMLが発表したと、Futurum Groupが伝えています。","evidencePoints":["ev-euv-lithography-2","ev-euv-lithography-6"],"scope":"EUVが対象とする製造ノードと適用の実例","differentiation":"微細化の限界に対応するが、適用範囲は先端ノードの一部の層に段階的に広がっている段階である。","faq":[{"question":"EUVはどの工程に使われますか？","answer":"ウエハー上に回路パターンを転写する露光工程で使われます。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/euv-lithography/P-04-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-euv-lithography-2","text":"ASMLの同ページは、開口数（NA）0.33のNXE系（NXE:3400Cは7nmと5nm、NXE:3600Dは5nmと3nm、NXE:3800Eは2nmロジックの各ノード向け）と、NA 0.55のEXE系（EXE:5000、EXE:5200B）を製品として掲載し、解像度はNXE系13nm、EXE系8nmと記載しています（2026年10月時点）。","title":"EUV lithography systems | ASML","coverageType":["Capability","UseCase"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.asml.com/en/products/euv-lithography-systems","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-04"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"euv-lithography"},{"id":"ev-euv-lithography-6","text":"調査会社Futurum Groupの分析（2026年7月16日付、Brendan 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18Aでの量産適用を伝えるFuturum Groupの分析（2026年7月）があります。ASMLは唯一の供給者である当事者でもあるため、数値は第三者の記事と併せて確認する必要があります。","evidencePoints":["ev-euv-lithography-1","ev-euv-lithography-5","ev-euv-lithography-6"],"scope":"EUVに関する一次情報と第三者情報の所在","differentiation":"装置メーカーの記載は当事者の情報であり、ロードマップや量産適用は第三者の報道・分析で補う必要がある。","faq":[{"question":"IRDSとは何ですか？","answer":"半導体技術の将来要件を整理するIEEE系のロードマップで、リソグラフィの章でEUVの見通しが示されています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/euv-lithography/P-05-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-euv-lithography-1","text":"ASMLの製品ページによれば、EUVリソグラフィは波長13.5nmの光でマイクロチップを描画する技術です。同ページはEUV露光装置を製造する企業はASMLのみであるとしており、17年かけて60億ユーロ超の研究開発投資を行ったと説明しています（2026年10月時点の同社記載）。","title":"EUV lithography systems | 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18Aの一部の層で量産適用が始まったとされます。一方で、レジストやマスクなどの課題も指摘されています。","evidencePoints":["ev-euv-lithography-4","ev-euv-lithography-5","ev-euv-lithography-6"],"scope":"EUVが重視される理由と現状","differentiation":"重要性の根拠はロードマップと量産適用の報道に基づくもので、課題も併せて残されている。","faq":[{"question":"EUVはいつから量産に使われていますか？","answer":"ASMLによれば、最初の量産用システムの出荷は2013年とされています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/euv-lithography/P-06-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-euv-lithography-4","text":"imecの2021年10月4日付の解説は、NAを0.33から0.55へ高めることで単一露光で8nm解像度（16nmピッチのライン／スペース）が得られるとしています。実用化には20nm未満の薄いレジスト、新しい計測、マスク吸収体材料、アナモフィックレンズに伴うスティッチングなどの課題があると述べ、imecとASMLがHigh-NA Labで共同開発を進めるとしています。","title":"High-NA EUV lithography: the next major step forward | 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