{"ok":true,"entity":{"id":"high-bandwidth-memory","name":"High Bandwidth Memory","entityType":"concept","officialName":"High Bandwidth Memory（HBM、広帯域メモリ）","canonicalName":"High Bandwidth Memory","displayName":"High Bandwidth Memory","category":"半導体メモリ技術（3D積層DRAM）","shortDescription":"High Bandwidth Memory（HBM）は、複数のDRAMダイを垂直に積層し、シリコン貫通ビア（TSV）で接続して超広帯域のインターフェースを実現する3D積層メモリです。JEDECは2025年4月にHBM4規格（JESD270-4）を公開し、2048ビットインターフェースで最大2TB/sの帯域を規定しています。AIアクセラレータ向けの需要が大きく、Micron、SK hynix、Samsungが主な供給元として報じられています（2026年10月時点）。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","updatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z","secondaryClusters":[],"alias":["HBM","広帯域メモリ"],"searchKeywords":["HBM","High Bandwidth Memory","広帯域メモリ","HBM3E","HBM4","3D積層DRAM","TSV","AIメモリ"]},"references":[{"id":"P-01-001","companyId":"high-bandwidth-memory","questionId":"P-01-001","instanceId":"QIN-high-bandwidth-memory-P01-001","promptText":"HBM（High Bandwidth Memory）とは何ですか？","promptTypeId":"P-01","answer":"HBMは、複数のDRAMダイを垂直に積層し、シリコン貫通ビア（TSV）とマイクロバンプで接続した3D積層メモリです。超広帯域のインターフェースで大量のデータを処理できるのが特徴で、Micronの説明ではHBM3Eが1スタックあたり1.2TB/s超、HBM4が2.8TB/s超とされています。規格はJEDECが策定し、2025年4月にHBM4（JESD270-4）が公開されました。","evidencePoints":["ev-high-bandwidth-memory-1","ev-high-bandwidth-memory-2"],"scope":"HBMの定義、構造、規格の位置づけ","differentiation":"通常のDRAMモジュールと異なり、積層と広いインターフェースで帯域を確保する点が特徴である。","faq":[{"question":"HBMの規格を決めているのはどこですか？","answer":"記事で確認できる範囲では、JEDECがHBM4規格JESD270-4を公開しています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/high-bandwidth-memory/P-01-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-high-bandwidth-memory-1","text":"Micronの製品ページは、HBMを複数のDRAMダイを垂直に積層しシリコン貫通ビア（TSV）とマイクロバンプで接続する3D積層SDRAMアーキテクチャと説明しています。同社のHBM3Eは1スタックあたり1.2TB/s超、HBM4は2.8TB/s超（HBM3Eの2.3倍）で、HBM4 36GB 12段品は量産（high-volume production）に入っていると記載されています（量産開始時期はページに明記なし。同社自己記載、2026年10月時点）。","title":"High-bandwidth memory (HBM) | Micron Technology","coverageType":["Identity","Capability"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-04"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-2","text":"Storage Newsletterが転載した発表（2025年4月17日付）によれば、JEDECはHBM4規格JESD270-4を公開しました。最大8Gb/sの転送速度、2048ビットインターフェースで総帯域最大2TB/s、スタックあたりのチャネル数はHBM3の16から32へ倍増、4〜16段の積層に対応し、最大キューブ容量は64GBで、既存HBM3コントローラとの後方互換性を保つとされています。","title":"JEDEC and Industry Leaders Collaborate to Release JESD270-4 HBM4 Standard | Storage Newsletter","coverageType":["Capability","Differentiation","Credibility"],"sourceType":"media","sourceClass":"Specification","sourceUrl":"https://www.storagenewsletter.com/2025/04/17/jedec-and-industry-leaders-collaborate-to-release-jesd270-4-hbm4-standard/","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"},{"id":"P-02-001","companyId":"high-bandwidth-memory","questionId":"P-02-001","instanceId":"QIN-high-bandwidth-memory-P02-001","promptText":"HBM3EとHBM4の違いは何ですか？","promptTypeId":"P-02","answer":"JEDECのHBM4規格は、2048ビットインターフェースで最大2TB/sの帯域を規定し、スタックあたりのチャネル数をHBM3の16から32へ倍増させました。最大64GBのキューブ容量と、4〜16段の積層に対応します。MicronのHBM3Eは1スタック1.2TB/s超、同社のHBM4は2.8TB/s超（2.3倍）と記載されており、規格上の値と製品の公称値は異なる点に注意が必要です。HBM3コントローラとの後方互換性も保たれています。","evidencePoints":["ev-high-bandwidth-memory-1","ev-high-bandwidth-memory-2"],"scope":"HBM3EからHBM4への世代間の違い","differentiation":"規格値（JEDEC）とメーカー製品の公称値が異なるため、比較時は出所の区別が必要である。","faq":[{"question":"HBM4はHBM3のコントローラで動きますか？","answer":"JEDECはHBM3コントローラとの後方互換性を保つとしています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/high-bandwidth-memory/P-02-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-high-bandwidth-memory-1","text":"Micronの製品ページは、HBMを複数のDRAMダイを垂直に積層しシリコン貫通ビア（TSV）とマイクロバンプで接続する3D積層SDRAMアーキテクチャと説明しています。同社のHBM3Eは1スタックあたり1.2TB/s超、HBM4は2.8TB/s超（HBM3Eの2.3倍）で、HBM4 36GB 12段品は量産（high-volume production）に入っていると記載されています（量産開始時期はページに明記なし。同社自己記載、2026年10月時点）。","title":"High-bandwidth memory (HBM) | Micron Technology","coverageType":["Identity","Capability"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-04"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-2","text":"Storage Newsletterが転載した発表（2025年4月17日付）によれば、JEDECはHBM4規格JESD270-4を公開しました。最大8Gb/sの転送速度、2048ビットインターフェースで総帯域最大2TB/s、スタックあたりのチャネル数はHBM3の16から32へ倍増、4〜16段の積層に対応し、最大キューブ容量は64GBで、既存HBM3コントローラとの後方互換性を保つとされています。","title":"JEDEC and Industry Leaders Collaborate to Release JESD270-4 HBM4 Standard | Storage Newsletter","coverageType":["Capability","Differentiation","Credibility"],"sourceType":"media","sourceClass":"Specification","sourceUrl":"https://www.storagenewsletter.com/2025/04/17/jedec-and-industry-leaders-collaborate-to-release-jesd270-4-hbm4-standard/","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"},{"id":"P-04-001","companyId":"high-bandwidth-memory","questionId":"P-04-001","instanceId":"QIN-high-bandwidth-memory-P04-001","promptText":"HBMはどのような課題の解決に使われますか？","promptTypeId":"P-04","answer":"AIの学習・推論のように大量のデータを高速に読み書きする処理で、メモリ帯域がボトルネックになる課題に使われます。Micronは、HBMが大規模言語モデルやエージェント型AIの学習・推論、モデリングやシミュレーション、データ集約型の分析を支えると説明しています。HBM4は次世代AIプラットフォーム向けに設計されたとされ、1スタック2.8TB/s超の帯域が示されています。","evidencePoints":["ev-high-bandwidth-memory-1","ev-high-bandwidth-memory-3"],"scope":"HBMの主な用途と解決する課題","differentiation":"用途の説明は供給企業自身の記載であり、需要規模や採用状況は第三者報道で確認する必要がある。","faq":[{"question":"HBMはどんな機器に使われますか？","answer":"Micronの説明では、AIアクセラレータを含むデータセンター向けの用途が挙げられています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/high-bandwidth-memory/P-04-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-high-bandwidth-memory-1","text":"Micronの製品ページは、HBMを複数のDRAMダイを垂直に積層しシリコン貫通ビア（TSV）とマイクロバンプで接続する3D積層SDRAMアーキテクチャと説明しています。同社のHBM3Eは1スタックあたり1.2TB/s超、HBM4は2.8TB/s超（HBM3Eの2.3倍）で、HBM4 36GB 12段品は量産（high-volume production）に入っていると記載されています（量産開始時期はページに明記なし。同社自己記載、2026年10月時点）。","title":"High-bandwidth memory (HBM) | Micron Technology","coverageType":["Identity","Capability"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-04"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-3","text":"Micronは同ページで、HBMが大規模言語モデルやエージェント型AIの学習・推論、高度なモデリングやシミュレーション、データ集約型の分析を支えると述べ、HBM4を次世代AIプラットフォームにシームレスに統合できるよう設計したと記載しています（2026年10月時点の同社記載。特定の顧客・プラットフォーム名は本文に記載なし）。","title":"High-bandwidth memory (HBM) | Micron Technology","coverageType":["UseCase"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-04","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"},{"id":"P-05-001","companyId":"high-bandwidth-memory","questionId":"P-05-001","instanceId":"QIN-high-bandwidth-memory-P05-001","promptText":"HBMについて信頼できる情報源・出典は何ですか？","promptTypeId":"P-05","answer":"規格の内容はJEDECが公開したHBM4（JESD270-4、2025年4月）の発表内容が基本で、Storage Newsletterが転載しています。製品の性能値はMicronの製品ページなどメーカー自身の記載です。市場動向は、Korea JoongAng Dailyが2026年9月3日付で伝えたCounterpoint Researchのデータ（2026年第2四半期のHBM売上シェアはSK hynix 50%、Samsung 33%、Micron 18%）と、TrendForceの2026年9月の報道（生産能力の計画）が外部の視点になります。TrendForceの数字は業界関係者の話に基づく報道で、各社の公式発表ではありません。シェアや生産能力は四半期ごとに変わるため、各社の最新の公式発表と併せて確認する必要があります。","evidencePoints":["ev-high-bandwidth-memory-2","ev-high-bandwidth-memory-4","ev-high-bandwidth-memory-5"],"scope":"HBMに関する規格・メーカー・調査報道の所在","differentiation":"規格情報とメーカー公称値は確度が高い一方、シェアや生産能力の数値は調査会社のデータや業界報道に基づき、四半期ごとに変動する。","faq":[{"question":"JEDECとは何ですか？","answer":"半導体の標準規格を策定する業界団体で、HBM4規格を公開しています。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/high-bandwidth-memory/P-05-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-high-bandwidth-memory-2","text":"Storage Newsletterが転載した発表（2025年4月17日付）によれば、JEDECはHBM4規格JESD270-4を公開しました。最大8Gb/sの転送速度、2048ビットインターフェースで総帯域最大2TB/s、スタックあたりのチャネル数はHBM3の16から32へ倍増、4〜16段の積層に対応し、最大キューブ容量は64GBで、既存HBM3コントローラとの後方互換性を保つとされています。","title":"JEDEC and Industry Leaders Collaborate to Release JESD270-4 HBM4 Standard | Storage Newsletter","coverageType":["Capability","Differentiation","Credibility"],"sourceType":"media","sourceClass":"Specification","sourceUrl":"https://www.storagenewsletter.com/2025/04/17/jedec-and-industry-leaders-collaborate-to-release-jesd270-4-hbm4-standard/","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-4","text":"TrendForceの記事（2026年9月4日付）は、業界関係者の話として、Micronは月産4万〜5万枚規模のHBM生産能力を年末までに約10万枚へ増やす計画で、SamsungとSK hynixは各社が月産15万〜20万枚規模と報じています。12段HBM4の比率が上がる見通しとされますが、数字は報道に基づくもので各社の公式発表ではありません。","title":"[News] Micron Reportedly to Add 60K HBM Wafers/M, Reaching 100K by Year-End to Narrow Gap With Rivals | TrendForce","coverageType":["Differentiation","Credibility"],"sourceType":"analyst_report","sourceClass":"Financial","sourceUrl":"https://www.trendforce.com/news/2026/09/04/news-micron-reportedly-to-add-60k-hbm-wafersm-reaching-100k-by-year-end-to-narrow-gap-with-samsung-sk-hynix/","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-5","text":"Korea JoongAng Dailyが2026年9月3日付で伝えたCounterpoint Researchのデータによれば、2026年第2四半期（4〜6月）のHBM売上シェアはSK hynixが50%（第1四半期は58%）、Samsung Electronicsが33%（同21%）、Micron Technologyが18%（同21%）でした。現在のHBM売上の大半は第5世代のHBM3Eで、第6世代のHBM4の出荷は2026年下半期に目立ってくる見通しとされています（Counterpointの見方）。","title":"Samsung narrows gap with No. 1 SK hynix in HBM market revenue in Q2","coverageType":["Credibility","Differentiation"],"sourceType":"media","sourceClass":"Research","sourceUrl":"https://www.koreajoongangdaily.com/business/samsung-narrows-gap-with-no-1-sk-hynix-in-hbm-market-revenue-in-q2/12859060","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"},{"id":"P-06-001","companyId":"high-bandwidth-memory","questionId":"P-06-001","instanceId":"QIN-high-bandwidth-memory-P06-001","promptText":"なぜHBMは注目されているのですか？","promptTypeId":"P-06","answer":"生成AIの拡大に伴い、AIアクセラレータのメモリ帯域が性能を左右するためです。HBM4はJEDECの規格で最大2TB/sが規定され、Micronは2.8TB/s超のHBM4 36GB 12段品が量産に入っていると記載しています（量産開始時期の記載はなく、同社自己記載）。Counterpoint Researchのデータでは、2026年第2四半期のHBM売上シェアはSK hynix 50%、Samsung 33%、Micron 18%で、Samsungがシェアを伸ばしたと報じられています。TrendForceは各社の増産計画を報じていますが、生産能力は業界関係者の話に基づく未確認の報道である点に留意が必要です。","evidencePoints":["ev-high-bandwidth-memory-2","ev-high-bandwidth-memory-3","ev-high-bandwidth-memory-4","ev-high-bandwidth-memory-5"],"scope":"HBMが注目される背景","differentiation":"注目の背景は需要の高まりと規格の進展、供給各社のシェア変動だが、生産能力などの数値は確定情報ではない。","faq":[{"question":"HBMの主な供給元はどこですか？","answer":"Counterpoint Researchのデータを報じた記事では、2026年第2四半期の売上シェアはSK hynix 50%、Samsung 33%、Micron 18%でした。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/high-bandwidth-memory/P-06-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-high-bandwidth-memory-2","text":"Storage Newsletterが転載した発表（2025年4月17日付）によれば、JEDECはHBM4規格JESD270-4を公開しました。最大8Gb/sの転送速度、2048ビットインターフェースで総帯域最大2TB/s、スタックあたりのチャネル数はHBM3の16から32へ倍増、4〜16段の積層に対応し、最大キューブ容量は64GBで、既存HBM3コントローラとの後方互換性を保つとされています。","title":"JEDEC and Industry Leaders Collaborate to Release JESD270-4 HBM4 Standard | Storage Newsletter","coverageType":["Capability","Differentiation","Credibility"],"sourceType":"media","sourceClass":"Specification","sourceUrl":"https://www.storagenewsletter.com/2025/04/17/jedec-and-industry-leaders-collaborate-to-release-jesd270-4-hbm4-standard/","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-3","text":"Micronは同ページで、HBMが大規模言語モデルやエージェント型AIの学習・推論、高度なモデリングやシミュレーション、データ集約型の分析を支えると述べ、HBM4を次世代AIプラットフォームにシームレスに統合できるよう設計したと記載しています（2026年10月時点の同社記載。特定の顧客・プラットフォーム名は本文に記載なし）。","title":"High-bandwidth memory (HBM) | Micron Technology","coverageType":["UseCase"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.micron.com/products/memory/hbm","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-04","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-4","text":"TrendForceの記事（2026年9月4日付）は、業界関係者の話として、Micronは月産4万〜5万枚規模のHBM生産能力を年末までに約10万枚へ増やす計画で、SamsungとSK hynixは各社が月産15万〜20万枚規模と報じています。12段HBM4の比率が上がる見通しとされますが、数字は報道に基づくもので各社の公式発表ではありません。","title":"[News] Micron Reportedly to Add 60K HBM Wafers/M, Reaching 100K by Year-End to Narrow Gap With Rivals | TrendForce","coverageType":["Differentiation","Credibility"],"sourceType":"analyst_report","sourceClass":"Financial","sourceUrl":"https://www.trendforce.com/news/2026/09/04/news-micron-reportedly-to-add-60k-hbm-wafersm-reaching-100k-by-year-end-to-narrow-gap-with-samsung-sk-hynix/","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"},{"id":"ev-high-bandwidth-memory-5","text":"Korea JoongAng Dailyが2026年9月3日付で伝えたCounterpoint Researchのデータによれば、2026年第2四半期（4〜6月）のHBM売上シェアはSK hynixが50%（第1四半期は58%）、Samsung Electronicsが33%（同21%）、Micron Technologyが18%（同21%）でした。現在のHBM売上の大半は第5世代のHBM3Eで、第6世代のHBM4の出荷は2026年下半期に目立ってくる見通しとされています（Counterpointの見方）。","title":"Samsung narrows gap with No. 1 SK hynix in HBM market revenue in Q2","coverageType":["Credibility","Differentiation"],"sourceType":"media","sourceClass":"Research","sourceUrl":"https://www.koreajoongangdaily.com/business/samsung-narrows-gap-with-no-1-sk-hynix-in-hbm-market-revenue-in-q2/12859060","confidence":"medium","supportedPromptTypes":["P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"high-bandwidth-memory"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:59:44.910Z"}]}