{"ok":true,"entity":{"id":"silicon-carbide-power-semiconductors","name":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","entityType":"concept","officialName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","canonicalName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","displayName":"Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors","category":"ワイドバンドギャップ・パワー半導体技術","shortDescription":"SiCパワー半導体は、炭化ケイ素を材料に用いたパワーデバイス（MOSFET、ダイオードなど）の総称で、窒化ガリウム（GaN）とともにワイドバンドギャップ半導体に分類されます。米国のPowerAmerica研究所は、SiCとGaNがパワーエレクトロニクスの性能を従来のシリコン設計の限界を超えて高めると説明しています。主な用途はEV・充電、産業、再生可能エネルギー、AIデータセンターなどで、市場ではSTMicroelectronics、onsemi、Infineon、Wolfspeed、ROHMなどが主要供給元です。","primaryCluster":"semiconductors","parentEntity":null,"verificationStatus":"draft","website":"https://www.poweramericainstitute.org/","updatedAt":"2026-10-08T04:23:15.768Z","secondaryClusters":[],"alias":["SiCパワー半導体","炭化ケイ素パワー半導体","SiCパワーデバイス","シリコンカーバイドパワー半導体"],"searchKeywords":["SiC","炭化ケイ素","シリコンカーバイド","SiCパワー半導体","SiC MOSFET","ワイドバンドギャップ","パワーデバイス","EV インバーター","SiC基板","Silicon Carbide"]},"references":[{"id":"P-01-001","companyId":"silicon-carbide-power-semiconductors","questionId":"P-01-001","instanceId":"QIN-silicon-carbide-power-semiconductors-P01-001","promptText":"SiCパワー半導体とは何ですか？","promptTypeId":"P-01","answer":"SiCパワー半導体は、炭化ケイ素（Silicon Carbide）を材料に用いたパワーデバイスで、SiC MOSFETやショットキーダイオードなどが含まれます。窒化ガリウム（GaN）と並ぶワイドバンドギャップ半導体の一つで、米DOE支援のPowerAmericaは、SiCとGaNが従来のシリコン設計の限界を超えて電力システムの性能を高めると説明しています。onsemiはEliteSiC、Infineonは400Vから3300VまでのCoolSiC MOSFETを製品として掲載し、Wolfspeedは基板からデバイスまでを手がけると述べています。","evidencePoints":["ev-silicon-carbide-power-semiconductors-1","ev-silicon-carbide-power-semiconductors-4","ev-silicon-carbide-power-semiconductors-5"],"scope":"SiCパワー半導体の定義と主要な製品・供給元","differentiation":"シリコンの限界を超える電力変換の性能が特徴とされますが、具体的な性能数値は本回答の根拠資料の範囲外です。","faq":[{"question":"SiCは何の略ですか？","answer":"Silicon 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onsemi","coverageType":["Capability"],"sourceType":"official_site","sourceClass":"Documentation","sourceUrl":"https://www.onsemi.com/company/about-onsemi","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"silicon-carbide-power-semiconductors"}],"generatedAt":"2026-10-08T04:23:15.768Z"},{"id":"P-02-001","companyId":"silicon-carbide-power-semiconductors","questionId":"P-02-001","instanceId":"QIN-silicon-carbide-power-semiconductors-P02-001","promptText":"SiCパワー半導体と従来のシリコンパワー半導体の違いは何ですか？","promptTypeId":"P-02","answer":"PowerAmericaは、SiCとGaNの半導体が従来のシリコンベースの設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスの性能を高めると説明しており、産業ドライブの高温動作、輸送の効率、データセンターの電力・冷却負荷の低減などで効果が語られています。一方、供給面では課題もあります。TrendForceの2023年集計では上位5社が売上の約91.9%を占め、SiC基板の自社調達率が競争要因となっており、WolfspeedもChapter 11（2025年6月30日申請、同年9月29日脱却）を経験しました。具体的な効率や耐圧の数値比較は、本回答の根拠資料には含まれていません。","evidencePoints":["ev-silicon-carbide-power-semiconductors-1","ev-silicon-carbide-power-semiconductors-2","ev-silicon-carbide-power-semiconductors-3"],"scope":"SiCとシリコンの位置づけの違い、およびSiC市場の供給構造","differentiation":"性能面の優位がシリコンの限界を超える点にある一方、基板調達と供給側の集中という制約があります。","faq":[{"question":"SiCの市場は集中していますか？","answer":"TrendForceの2023年の集計では、上位5社が売上の約91.9%を占めました。"}],"pageUrl":"https://www.refbase.ai/reference/silicon-carbide-power-semiconductors/P-02-001","sourceEvidence":[{"id":"ev-silicon-carbide-power-semiconductors-1","text":"米国エネルギー省（DOE）の支援を受ける製造業研究所PowerAmericaは、「SiCとGaNの半導体は、従来のシリコン設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスシステムの性能を高める」と説明しています。同機関は用途として、産業用ドライブ、輸送の航続距離・効率、電力網の変換効率、防衛、データセンターの電力・冷却負荷の低減を挙げ、DOEが5年間で3,200万米ドルを支援するとしています。","title":"PowerAmerica","coverageType":["Identity","Capability","UseCase","Credibility"],"sourceType":"industry_reference","sourceClass":"Profile","sourceUrl":"https://www.poweramericainstitute.org/","confidence":"high","supportedPromptTypes":["P-01","P-02","P-04","P-05","P-06"],"needsVerification":true,"sourceVerified":false,"entityId":"silicon-carbide-power-semiconductors"},{"id":"ev-silicon-carbide-power-semiconductors-2","text":"Wolfspeedの2026年6月28日終了会計年度の10-Kは、SiCを含むワイドバンドギャップ半導体の用途を、自動車（EV・充電）、産業・エネルギー（AIデータセンター、再生可能エネルギー）、航空宇宙・防衛としています。SiCパワーデバイスの競合としてInfineon、ON 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