ASM Internationalの装置は、ウエハー上に原子レベルの薄い膜を精密に積み上げる工程で使われます。同社の投資家向け資料は、ロジック／ファウンドリのGAA構造ではALDとエピタキシーの層数が増え、DRAMが4F²構造へ移行する際にも層数が増えると説明し、微細化に伴う成膜の複雑化への対応を事業機会としています。公式サイトはALD、エピタキシー、PECVD、縦型炉を主要プラットフォームとして挙げています。これらの用途説明は同社の見解に基づきます。
ASMの成膜装置が担う半導体製造工程上の課題
用途の説明は同社の事業見通しに基づく見解で、個別顧客での採用実績を保証するものではありません。