SiCパワー半導体は、炭化ケイ素（Silicon Carbide）を材料に用いたパワーデバイスで、SiC MOSFETやショットキーダイオードなどが含まれます。窒化ガリウム（GaN）と並ぶワイドバンドギャップ半導体の一つで、米DOE支援のPowerAmericaは、SiCとGaNが従来のシリコン設計の限界を超えて電力システムの性能を高めると説明しています。onsemiはEliteSiC、Infineonは400Vから3300VまでのCoolSiC MOSFETを製品として掲載し、Wolfspeedは基板からデバイスまでを手がけると述べています。
SiCパワー半導体の定義と主要な製品・供給元
シリコンの限界を超える電力変換の性能が特徴とされますが、具体的な性能数値は本回答の根拠資料の範囲外です。