Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors

Concept

ワイドバンドギャップ・パワー半導体技術

最終更新: 2026-10-08

5 References

https://www.refbase.ai/entity/silicon-carbide-power-semiconductors

Knowledge Dossier

公開済みEvidenceをIdentity / Capability / Credibility / Use Case / Constraints・Current Statusの軸で機械的に集約したものです(新規の主張・推測は含みません)。

Identity

  • 米国エネルギー省(DOE)の支援を受ける製造業研究所PowerAmericaは、「SiCとGaNの半導体は、従来のシリコン設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスシステムの性能を高める」と説明しています。同機関は用途として、産業用ドライブ、輸送の航続距離・効率、電力網の変換効率、防衛、データセンターの電力・冷却負荷の低減を挙げ、DOEが5年間で3,200万米ドルを支援するとしています。検証待ち PowerAmerica

Capability

  • 米国エネルギー省(DOE)の支援を受ける製造業研究所PowerAmericaは、「SiCとGaNの半導体は、従来のシリコン設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスシステムの性能を高める」と説明しています。同機関は用途として、産業用ドライブ、輸送の航続距離・効率、電力網の変換効率、防衛、データセンターの電力・冷却負荷の低減を挙げ、DOEが5年間で3,200万米ドルを支援するとしています。検証待ち PowerAmerica
  • Wolfspeedの公式サイトは、同社を「世界最大のピュアプレイSiC基板プロバイダー」であり「SiC MOSFET、ショットキーダイオード、パワーモジュールの世界的リーダー」と位置づけています(自己申告)。SiCデバイスの材料であるSiC基板を専業で供給する事業者が存在することを示します。検証待ち Wolfspeed Company
  • onsemiの公式サイトは、同社の製品としてMOSFET、イメージセンサー、SiC技術「EliteSiC」を挙げています。製品ページはSiCダイオード、SiC MOSFET、SiC JFETなどをディスクリート・パワーモジュールのカテゴリとして整理しています。検証待ち About onsemi / Products and Technology | onsemi
  • Infineonの公式サイトのナビゲーションは、SiC製品としてCoolSiC MOSFET(400Vから3300Vまでの電圧クラス)とCoolSiCショットキーダイオードを掲載しています(製品カテゴリの一覧であり、技術的な性能説明は含まれていません)。検証待ち About Infineon (SiC product navigation)

Credibility

  • 米国エネルギー省(DOE)の支援を受ける製造業研究所PowerAmericaは、「SiCとGaNの半導体は、従来のシリコン設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスシステムの性能を高める」と説明しています。同機関は用途として、産業用ドライブ、輸送の航続距離・効率、電力網の変換効率、防衛、データセンターの電力・冷却負荷の低減を挙げ、DOEが5年間で3,200万米ドルを支援するとしています。検証待ち PowerAmerica
  • Wolfspeedの2026年6月28日終了会計年度の10-Kは、SiCを含むワイドバンドギャップ半導体の用途を、自動車(EV・充電)、産業・エネルギー(AIデータセンター、再生可能エネルギー)、航空宇宙・防衛としています。SiCパワーデバイスの競合としてInfineon、ON Semiconductor、Rohm、STMicroelectronics、Bosch、Silanを挙げ、同社自身は2025年6月30日にChapter 11を申請し、2025年9月29日に手続きを脱したと記載しています。検証待ち Wolfspeed, Inc. Form 10-K (fiscal year ended June 28, 2026)
  • TrendForceの2023年のSiCパワーデバイス市場の集計(2024年7月4日付のEE Asia掲載)では、STMicroelectronicsが32.6%で首位、onsemiが2022年の4位から2位に上昇し、上位5社で売上の約91.9%を占めました。onsemiの上昇はGTAT買収によるSiC基板の自社調達率50%超などが要因とされ、SiCでは基板の調達が競争要因になっていることを示します。検証待ち TrendForce: STMicroelectronics Leads Global SiC Power Device Market (EE Asia)

Use Case

  • 米国エネルギー省(DOE)の支援を受ける製造業研究所PowerAmericaは、「SiCとGaNの半導体は、従来のシリコン設計の限界を超えてパワーエレクトロニクスシステムの性能を高める」と説明しています。同機関は用途として、産業用ドライブ、輸送の航続距離・効率、電力網の変換効率、防衛、データセンターの電力・冷却負荷の低減を挙げ、DOEが5年間で3,200万米ドルを支援するとしています。検証待ち PowerAmerica
  • Wolfspeedの2026年6月28日終了会計年度の10-Kは、SiCを含むワイドバンドギャップ半導体の用途を、自動車(EV・充電)、産業・エネルギー(AIデータセンター、再生可能エネルギー)、航空宇宙・防衛としています。SiCパワーデバイスの競合としてInfineon、ON Semiconductor、Rohm、STMicroelectronics、Bosch、Silanを挙げ、同社自身は2025年6月30日にChapter 11を申請し、2025年9月29日に手続きを脱したと記載しています。検証待ち Wolfspeed, Inc. Form 10-K (fiscal year ended June 28, 2026)

Constraints / Current Status

  • Wolfspeedの2026年6月28日終了会計年度の10-Kは、SiCを含むワイドバンドギャップ半導体の用途を、自動車(EV・充電)、産業・エネルギー(AIデータセンター、再生可能エネルギー)、航空宇宙・防衛としています。SiCパワーデバイスの競合としてInfineon、ON Semiconductor、Rohm、STMicroelectronics、Bosch、Silanを挙げ、同社自身は2025年6月30日にChapter 11を申請し、2025年9月29日に手続きを脱したと記載しています。検証待ち Wolfspeed, Inc. Form 10-K (fiscal year ended June 28, 2026)
  • TrendForceの2023年のSiCパワーデバイス市場の集計(2024年7月4日付のEE Asia掲載)では、STMicroelectronicsが32.6%で首位、onsemiが2022年の4位から2位に上昇し、上位5社で売上の約91.9%を占めました。onsemiの上昇はGTAT買収によるSiC基板の自社調達率50%超などが要因とされ、SiCでは基板の調達が競争要因になっていることを示します。検証待ち TrendForce: STMicroelectronics Leads Global SiC Power Device Market (EE Asia)
  • Wolfspeedの公式サイトは、同社を「世界最大のピュアプレイSiC基板プロバイダー」であり「SiC MOSFET、ショットキーダイオード、パワーモジュールの世界的リーダー」と位置づけています(自己申告)。SiCデバイスの材料であるSiC基板を専業で供給する事業者が存在することを示します。検証待ち Wolfspeed Company

Key References

Knowledge Graph

References — 問い別の知識

データアクセス

各APIエンドポイントはJSON形式でデータを返します。生成AIのツール呼び出し・RAG連携での利用を想定しています。