半導体研究機関imecの解説記事は、High-NA EUVでは開口数が現行の0.33から0.55へ引き上げられ、8nm解像度を実現できると説明しています。装置はASMLが製造し、imecとASMLは走査露光機、レジスト評価、計測、マスク評価を一体で行う共同High-NA Labを設けているとされています。検証待ちHigh-NA EUVL: the next major step in lithography
2024年1月の報道によれば、ASMLは2023年12月21日に初のHigh-NA EUV露光装置Twinscan EXE:5000をIntelへ出荷しました。報道はASMLをEUV露光装置の世界唯一の供給元とし、High-NAでは解像度が従来のEUVの13nmから8nmになり、EUVのダブルパターニングを不要にできる可能性があると伝えています。検証待ちIntel receives its High-NA EUV scanner from ASML
EE Times Japanの2023年12月22日付の記事は、ASMLが初のHigh-NA EUV露光装置(Twinscan EXE:5000、開口数0.55)をIntelへ出荷したと報じ、Intelが2025年のIntel 18A量産を計画している文脈でこの装置の導入が重要な節目になると伝えています。検証待ちASML、初の高NA EUV露光装置をIntelに出荷
2024年1月の報道によれば、ASMLは2023年12月21日に初のHigh-NA EUV露光装置Twinscan EXE:5000をIntelへ出荷しました。報道はASMLをEUV露光装置の世界唯一の供給元とし、High-NAでは解像度が従来のEUVの13nmから8nmになり、EUVのダブルパターニングを不要にできる可能性があると伝えています。検証待ちIntel receives its High-NA EUV scanner from ASML
半導体研究機関imecの解説記事は、High-NA EUVでは開口数が現行の0.33から0.55へ引き上げられ、8nm解像度を実現できると説明しています。装置はASMLが製造し、imecとASMLは走査露光機、レジスト評価、計測、マスク評価を一体で行う共同High-NA Labを設けているとされています。検証待ちHigh-NA EUVL: the next major step in lithography