EUV Lithography

Identity

• ASMLの製品ページによれば、EUVリソグラフィは波長13.5nmの光でマイクロチップを描画する技術です。同ページはEUV露光装置を製造する企業はASMLのみであるとしており、17年かけて60億ユーロ超の研究開発投資を行ったと説明しています（2026年10月時点の同社記載）。検証待ち EUV lithography systems | ASML

Capability

• ASMLの同ページは、開口数（NA）0.33のNXE系（NXE:3400Cは7nmと5nm、NXE:3600Dは5nmと3nm、NXE:3800Eは2nmロジックの各ノード向け）と、NA 0.55のEXE系（EXE:5000、EXE:5200B）を製品として掲載し、解像度はNXE系13nm、EXE系8nmと記載しています（2026年10月時点）。検証待ち EUV lithography systems | ASML
• ASMLの解説記事（2024年1月25日付）によると、High-NA EUV装置TWINSCAN EXE:5000の最初のモジュールは2023年12月にIntelへ出荷されました。波長は13.5nmでDUV（193nm）より短く、NXE系と比べトランジスタは1.7倍小さく密度は2.9倍高いとされ、毎時185枚超のウエハー処理が可能と説明されています。検証待ち 5 things you should know about High NA EUV lithography | ASML
• imecの2021年10月4日付の解説は、NAを0.33から0.55へ高めることで単一露光で8nm解像度（16nmピッチのライン／スペース）が得られるとしています。実用化には20nm未満の薄いレジスト、新しい計測、マスク吸収体材料、アナモフィックレンズに伴うスティッチングなどの課題があると述べ、imecとASMLがHigh-NA Labで共同開発を進めるとしています。検証待ち High-NA EUV lithography: the next major step forward | imec

Credibility

• Semiconductor Engineeringの記事（2021年11月2日付）は、IRDSのリソグラフィ・ロードマップが、EUVとその次世代版を、少なくとも2034年の0.7nmノードまで先端チップの主要なパターニング手法と見込んでいると報じています。High-NA EUV（NA 0.55）は2025年の導入が想定され、課題としてノイズ、欠陥、オーバーレイが挙げられています。検証待ち Manufacturing Bits: Nov. 2 | Semiconductor Engineering
• 調査会社Futurum Groupの分析（2026年7月16日付、Brendan Burke氏）は、2026年7月15日のASML発表として、Intel Foundryがチップ製造の一部のIntel 18A層でHigh-NA EUVによる量産に入り、製品を出荷していると伝えています。ASMLは歩留まりが従来の0.33NA装置と同等と述べているとされます。検証待ち Will Intel Foundry's High-NA EUV Lead Compound Into a 14A Advantage? | Futurum

Use Case

• ASMLの同ページは、開口数（NA）0.33のNXE系（NXE:3400Cは7nmと5nm、NXE:3600Dは5nmと3nm、NXE:3800Eは2nmロジックの各ノード向け）と、NA 0.55のEXE系（EXE:5000、EXE:5200B）を製品として掲載し、解像度はNXE系13nm、EXE系8nmと記載しています（2026年10月時点）。検証待ち EUV lithography systems | ASML
• 調査会社Futurum Groupの分析（2026年7月16日付、Brendan Burke氏）は、2026年7月15日のASML発表として、Intel Foundryがチップ製造の一部のIntel 18A層でHigh-NA EUVによる量産に入り、製品を出荷していると伝えています。ASMLは歩留まりが従来の0.33NA装置と同等と述べているとされます。検証待ち Will Intel Foundry's High-NA EUV Lead Compound Into a 14A Advantage? | Futurum

Constraints / Current Status

• ASMLの解説記事（2024年1月25日付）によると、High-NA EUV装置TWINSCAN EXE:5000の最初のモジュールは2023年12月にIntelへ出荷されました。波長は13.5nmでDUV（193nm）より短く、NXE系と比べトランジスタは1.7倍小さく密度は2.9倍高いとされ、毎時185枚超のウエハー処理が可能と説明されています。検証待ち 5 things you should know about High NA EUV lithography | ASML
• imecの2021年10月4日付の解説は、NAを0.33から0.55へ高めることで単一露光で8nm解像度（16nmピッチのライン／スペース）が得られるとしています。実用化には20nm未満の薄いレジスト、新しい計測、マスク吸収体材料、アナモフィックレンズに伴うスティッチングなどの課題があると述べ、imecとASMLがHigh-NA Labで共同開発を進めるとしています。検証待ち High-NA EUV lithography: the next major step forward | imec
• Semiconductor Engineeringの記事（2021年11月2日付）は、IRDSのリソグラフィ・ロードマップが、EUVとその次世代版を、少なくとも2034年の0.7nmノードまで先端チップの主要なパターニング手法と見込んでいると報じています。High-NA EUV（NA 0.55）は2025年の導入が想定され、課題としてノイズ、欠陥、オーバーレイが挙げられています。検証待ち Manufacturing Bits: Nov. 2 | Semiconductor Engineering

Key References

• なぜEUVリソグラフィは半導体産業で重要なのですか？
• EUVリソグラフィについて信頼できる情報源・出典は何ですか？
• EUVリソグラフィとは何ですか？

Related

• ASML— ASMLは自社の製品ページで、EUV露光装置を製造する唯一の企業であると説明している（2026年10月時点）。
• imec— imecはASMLとHigh-NA Labを共同で運営し、High-NA EUVのエコシステム開発に取り組んでいる（2021年10月のimec記事）。
• Moore's Law— imecは、ムーアの法則の継続策の一つとして、EUVとHigh-NA EUVの次世代リソグラフィを挙げている（imecの解説ページ、2026年10月時点）。