ASMLの解説では、EUVの波長は13.5nm、DUVは193nmで、波長の短さが微細なパターン形成につながります。さらにEUVの中でも、NA 0.33のNXE系に対しNA 0.55のHigh-NA（EXE系）はトランジスタが1.7倍小さく密度が2.9倍高いとされます。imecは、High-NAで8nm解像度が得られる一方、薄いレジストやマスク材料など新たな課題が生じると指摘しています。
EUVと従来のDUV、およびEUV内の標準NAとHigh-NAとの比較
波長・NAによる解像度の違いに加え、High-NAは装置とエコシステムの新たな課題を伴う点で標準NAのEUVと異なる。