先端ノードの微細化を支える主要な露光手法とみなされているためです。IRDSのロードマップは、EUVとその次世代版を少なくとも2034年の0.7nmノードまで主要な手法と見込んだとSemiconductor Engineeringは報じています。装置面ではHigh-NAのEXE系がNA 0.55・解像度8nmとされ、2026年7月にはIntel 18Aの一部の層で量産適用が始まったとされます。一方で、レジストやマスクなどの課題も指摘されています。
EUVが重視される理由と現状
重要性の根拠はロードマップと量産適用の報道に基づくもので、課題も併せて残されている。