GAAトランジスタは、チャネルの全周をゲートで囲む構造のトランジスタです。imecの解説では、ナノシート型はシート状のチャネルを垂直に積層し、高誘電率／メタルゲートがチャネルを完全に取り囲むと説明されています。ゲートによる電気的な制御力が高まり、FinFETで難しくなったスケーリングを継続する構造として位置づけられています。
GAAトランジスタの構造と基本的な特徴
imecの解説は、チャネルを高誘電率／メタルゲートが完全に取り囲む点を構造上の特徴として示している。