FinFETの微細化限界、つまり駆動電流の低下とばらつきの課題を乗り越えるために使われます。TSMCは2025年第4四半期に第1世代のナノシートを採用したN2の量産を開始したと自社ページで述べ、IntelはRibbonFETによるGAAを18Aに採用し、米国での量産段階にあるとしています。Intelは18Aで、Intel 3比で同電力時の性能が最大18%向上すると公称しています。
GAAが解決する課題と採用例
性能向上の数値は各社の公称値であり、プロセス間の単純比較はできない。