先端ノードの微細化を続けるために、FinFETの後継構造として採用が進んでいるためです。imecは3nm・2nm世代で主要ファウンドリがナノシートへ移行し始めたと説明しています。実際にTSMCは2025年第4四半期にN2の量産を開始し、IntelはRibbonFETを使う18Aを量産段階にあるとしています。一方で、2025年の研究は歪みや界面ラフネスなど、性能に影響する原子レベルの課題を示しています。
GAAが注目される理由と課題
採用は進んでいるが、材料・界面の課題が研究段階で残る。